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jfet有三个引脚分别是
1、场效应管的管脚排列规律是这样的：带字的一面面对自己，从左到右依次为：G极（栅极），D极（漏极），S极（源极）。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。
2、半导体电子器件，有两个PN结组成，可以对电流起放大作用，有3个引脚，分别为集电极（c)，基极（b)，发射极（e）.有PNP和NPN型两种，以材料分有硅材料和锗材料两种。
3、结型场效应管（JFET）这种器件在外观上看有三个引脚，我们分别给它起的名称是栅极G、漏极D、源极S。我们再从内部结构看，这种器件在内部结构上又分为N沟道结构和P沟道结构，下图 左边是N沟道结构。右边是P沟道结构。
4、JFET的构造：JFET是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体两端分别引出两个电极，分别称为漏极d，源极s。
5、GFP5N60场效应管的引脚源栅漏极：第一个是G栅极，第二个是D漏极，第三个是S源极。正放排列分别是G-D-S排列。场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。
6、集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。
smt零件引脚形式有那些
通常封装材料为塑料，陶瓷。元件的散热部分可能由金属组成。元件的引脚分为有铅和无铅区别。
常见的几种元件包装形式 A.带式 在带式包装中，因物料的大小，及包装盘的大小，一般其容量如下：对于CHIP元件 为 3000~5000 。对于SOT23元件为 3000 。对于SOT89元件为 1000 。对于MELF元件为 1500 。
DIP（DIP封装）全称“双列直插式封装技术”，一种最简单的封装方式，指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100。
表面安装元器件的选择和设计是产品总体设计的关键一环，设计者在系统结构和详细电路设计阶段确定元器件的电气性能和功能，在SMT设计阶段应根据设备及工艺的具体情况和总体设计要求确定表面组装元器件的封装形式和结构。
SMT元件与PTH孔元件之间的差别在于引脚的连接方式和组装工艺。SMT元器件固定在PCB上时，引脚是连接到PCB表面的焊接垫上，而不是连接到PCB上的PTH孔内。
L形引脚类封装耐焊接性比较好，SMT加工厂一般具有以下耐焊接性，形式是有铅工艺和无铅工艺。
MOS管的引脚,G、S、D分别代表什么?
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
G：gate栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。
MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
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